次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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ノンポーラス低誘電率膜/Cuシングルダマシン配線への電気特性の評価を検討した。良好な配線間リーク電流、低誘電率(k=2.3)、十分な絶縁膜経時破壊寿命を達成した。初めにCuダマシン配線に新規なノンポーラスフロロカーボン膜を適用して、次世代LSI向け低誘率膜/Cuダマシン配線を形成した。
- 2010-10-14
著者
-
谷 クン
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
根本 剛直
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
Teramoto A
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
富田 祐吾
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
Teramoto Akinobu
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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