3次元チップ積層のためのウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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3次元チップ積層は、半導体の新たな技術として開発が進められている。この3次元チップ積層と貫通電極(TSV)には、シリコンウェーハの薄化が重要な技術となっている。本論文では、ウェットエッチングによるシリコンウェーハの薄化技術についての提案を行う。
- 2009-10-22
著者
-
根本 剛直
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
吉川 和博
株式会社フジキン大阪ハイテック研究所
-
吉川 和博
株式会社プレテックat
-
吉田 達朗
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
吉川 和博
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大橋 朋貢
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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