ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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マイクロ波励起Ar/N_2プラズマによりSiO_2膜をラジカル窒化して形成したSiON膜における,Nの結合状態,及び深さ分布を,XPSを用いて評価した。このSiON膜中には,少なくとも反応性の異なる2種類の窒化種が存在し膜厚が厚い場合,一方は,表面でSi_3≡Nを,他方は表面から膜中で未同定の結合(以後N_<high>)を形成する。N_<high>は400℃の昇温で完全に脱離するため,poly-Si成膜時のプリアニールで除去され,直接的な悪影響はないと考えられる。しかし膜厚が薄くなると, N_<high>を形成する窒化種はSi_3≡Nを形成する窒化種よりも先に界面に到達しN_<high>ではなく, Si_3≡Nを形成する。これにより,EOTの増加やNBTIの劣化が引起されると考えられる。したがって,N_<high>を形成する窒化種のプラズマ中での生成効率低減が,界面でのSi_3≡N形成抑制に有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-07
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
小村 政則
東北大学工学研究科
-
梅田 浩司
ULSI技術開発センター
-
樋口 正顕
株式会社東芝
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
-
河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
-
小村 政則
東北大学大学院工学研究科
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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