梅田 浩司 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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樋口 正顕
株式会社東芝
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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河瀬 和雅
三菱電機先端総研
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジプロセス開発部
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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黒川 博志
三菱電機先端総研
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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上原 廉
三菱電機先端総研
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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上原 廉
三菱電機 先端技総研
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)