梅田 浩司 | ULSI技術開発センター
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概要
関連著者
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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寺本 章伸
三菱電機(株)
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辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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梅田 浩司
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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河瀬 和雅
三菱電機先端総研
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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井上 真雄
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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米田 昌弘
(株)ルネサステクノロジ
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樋口 正顕
株式会社東芝
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ
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黒川 博志
三菱電機先端総研
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志賀 克哉
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジプロセス開発部
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重富 晃
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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佐藤 真一
兵庫県立大学大学院工学研究科
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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堀田 勝之
Ulsi技術開発センター
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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黒井 隆
Ulsi技術開発センター
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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伊藤 康悦
ULSI技術開発センター
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内田 哲也
ULSI技術開発センター
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後藤 欣哉
ULSI技術開発センター
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井上 靖朗
ULSI技術開発センター
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佐藤 真一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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犬石 昌秀
ULSI技術開発センター
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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丸山 祥輝
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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吉村 秀文
(株)ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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谷村 純二
三菱電機(株)先端総研
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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若尾 和年
三菱電機ULSI技術開発センター
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谷村 純二
三菱電機先端総研
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井上 真雄
三菱電機ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
三菱電機ULSI技術開発センター
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小林 清輝
三菱電機(株)ulsi開発研究所評価解析センターlsiプロセス開発第二部
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谷村 純二
三菱電機先端技術総合研究所
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大西 和博
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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上原 康
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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上原 廉
三菱電機先端総研
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丸山 祥輝
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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西本 章
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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上原 康
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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後藤 欣哉
株式会社ルネサステクノロジ
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
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Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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上原 廉
三菱電機 先端技総研
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- 高信頼トンネル酸化膜形成技術 (特集"半導体")
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ゲート酸化膜の破壊メカニズム
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- SR光を用いたX線反射率測定によるSiO2膜解析 (特集 マイクロ・ナノテクノロジー適用例とその評価・解析技術)
- RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性
- RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性