NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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NBTI (Negative bias temperature instability,高温負バイアスにおけるpMOSFETのデバイス劣化)の観点からCMOS用SiONゲート絶縁膜の薄膜化可能性を論じる。まず、ゲート絶縁膜の薄膜化がNBTIのメカニズムに及ぼす影響を調べた。我々が電圧加速条件下で取得したNBTI劣化の実験データからは薄膜化の影響は見られなかったが、実動作条件のような低電圧においては薄膜化が影響を及ぼす可能性があり、その影響を正しく評価するためには電圧加速試験ではなく温度加速試験が必要であると考えられる。次に、ゲート電子電流がNBTI劣化速度に及ぼす影響を調べた。NBTIの主原動力は電界であり、ゲート電子電流ではないものの、ゲート電子電流はNBTIの逆反応の速度を抑制し、結果としてNBTI劣化を助長する効果があることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
-
梅田 浩司
ULSI技術開発センター
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
辻川 真平
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
辻川 真平
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジプロセス開発部
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
-
赤松 泰彦
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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