RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性

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概要

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RTA装置を用いて種々のガス雰囲気でゲート絶縁膜を形成し、その電気特性を評価した。その結果、H_2/O_2(ウエット)酸化、N_2O酸窒化によりRTA装置で形成したゲート絶縁膜は、従来の拡散炉を用いて形成した場合よりも高い信頼性を有している事を見い出した。また、RTA装置でUV-O_2酸化(ウェハ表面にUV光を照射しながらドライO_2雰囲気中で酸化)する事により、信頼性の向上のみならず、プロセス温度の低温化を図る事が可能である事も見い出した。そして、これらの高信頼ゲート絶縁膜の形成には、活性酸化種がそのライフタイムの時間内に基板表面に到達できる事が重要であると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-09-28

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