大野 吉和 | 三菱電機(株)ULSI技術開発センター

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関連著者

• 大野 吉和

  (株)ルネサステクノロジ

• 大野 吉和

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 寺本 章伸

  三菱電機(株)

• 大野 吉和

  三菱電機 ULSI開発研究所

• 梅田 浩司

  ULSI技術開発センター

• 井上 真雄

  (株)ルネサステクノロジ

• 梅田 浩司

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 井上 真雄

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 梅田 浩司

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 三好 寛和

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 三好 寛和

  三菱電機 Ulsi技術開発センター

• 重富 晃

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 三好 寛和

  三菱電機(株)

• 小林 淳二

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 丸山 祥輝

  (株)ルネサステクノロジ

• 河瀬 和雅

  三菱電機(株)先端総研

• 丸山 祥輝

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 高橋 貫治

  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング(株)

• 堀江 靖彦

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 金岡 竜範

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 原 英司

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 西本 章

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 小林 淳二

  三菱電機(株)

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著作論文

• ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
• ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
• ゲート酸化膜の破壊メカニズム
• ゲート酸化膜寿命の電界依存性
• RTA装置で形成したゲート絶縁膜の電気特性
• UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成
• UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成

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