UV-O_2酸化を用いた低温ゲート酸化膜形成
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概要
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ウェハ表面にUV光を照射しながらドライO_2雰囲気中において酸化(UV-O_2酸化)を行うと、UV光を照射しない通常のドライ酸化と比較して、TDDB特性、ストレス誘起電流、ホールトラップ特性において優れていることを見出した。また、eUV照射下のドライ酸化法では、酸化温度が600℃においても信頼性の高いゲート酸化膜が形成できることがわかった。このことは、高信頼のゲート酸化膜をMOSFETのチャネルの不純物プロファイルを変化させない低温で形成できることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-24
著者
-
三好 寛和
三菱電機(株) Ulsi開発研究所
-
三好 寛和
三菱電機 Ulsi技術開発センター
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
-
寺本 章伸
三菱電機(株)
-
大野 吉和
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
三好 寛和
三菱電機(株)
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