N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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100%N_2プラズマ中でSi基板を直接窒化することにより極薄SiNゲート絶縁膜を形成し、polySiゲートCMOSデバイスの作製を行った.直接窒化SiNゲート絶縁膜は良好な基板界面特性を有し、熱酸化により形成したSi0_2と比較して1桁低いリーク電流を示す。トランジスタパフオーマンスは良好で、従来のSiON膜と比較してほぼ同等のSファクタおよび相互コンダクタンスが得られた。さらに、TDDBおよびNBTIの評価を行い、高信頼SiNゲート絶縁膜が形成されていることを確認した。N_2プラズマによるSi基板直接窒化は、次世代デバイスにおける有望なゲート絶縁膜形成技術である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-13
著者
-
大野 吉和
(株)ルネサステクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
ルネサス テクノロジ
-
井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部、プロセス開発部
-
土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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