SiO_2薄膜の絶縁劣化とコンダクタンスの関連
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
MOSダイオードのG-V特性は酸化膜と半導体界面の界面準位の存在に対して、C-V特性より敏感に応答する。MOSダイオード(酸化膜厚約185Å)にF-Nトンネル定電流ストレスを印加し、測定周波数1kHZのG-VとG-f特性を測定した。初期状態では、G-V特性は2つのピークを有する。電流ストレス印加時間が増加するに従って、2つのピークの高さは増加し、最終的には、2つのピークは見かけ上、1つのピークに成長した。C_ox>と基板の抵抗の影響を除くことによって測定G-V特性を解析し、G-φ_s特性を求めた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
関連論文
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
- ゲート酸化膜の破壊メカニズム
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- 溶液移動浮遊帯域法によるBi_2Sr_2CuO_x単結晶の育成 : 超伝導酸化物
- リン化処理を施した化合物半導体へのショットキー接合
- リン化処理を用いた化合物半導体表面の安定化
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- ポリジメチルシランの配向制御と発光特性
- シリコンM0Sキャパシタの界面準位生成に対する酸化膜電圧およびその極性依存性
- F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性
- FN注入によるMOSダイオードの劣化とa.c.コンダクタンス測定
- SiO_2薄膜の絶縁劣化とコンダクタンスの関連
- 8a-M-9 CdS単結晶のX線及び光パルス電動(I)
- ポリシラン(有機シリコン高分子)の配向制御と光学特性
- ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価
- イットリウムシリサイド/シリコン接合の作製と電気的特性
- ショットキーバリアトンネルトランジスタ(SBTT)の数値解析
- a-Si:Hグロ-放電膜のタイムオブフライト測定による評価--モノシラン膜とジシラン膜の比較 (太陽光発電システム)
- 11p-H-9 Co_2レーザによるTeのSHGの温度依存性
- a-Si:Hグロ-放電膜のタイムオブフライト測定による評価--モノシラン膜とジシラン膜の比較 (太陽光発電システム)