リン化処理を用いた化合物半導体表面の安定化
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概要
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リン化処理を用いてInPやGaAsに代表されるIII-V化合物半導体の表面安定化を試みた。InP表面では自然酸化膜が除去された。一方、リン化したGaAs表面でAs酸化物の生成が抑制されることがわかった。リン化処理を行ったInPとGaAs表面に作製したショットキー接合において障壁高さの金属仕事関数依存性が見い出され、リン化処理が表面準位密度の低減に有効であると示唆する結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
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