ダイヤモンド薄膜の電子放出特性

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概要

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ホットフィラメントCVD法を用いて, シリコン基板上にリンドープ多結晶ダイヤモンド薄膜を作製した。表面を水素プラズマで処理したダイヤモンド薄膜の電子放出特性を調べた。粗さの異なるダイヤモンド薄膜の電子放出特性が同一の閾値電圧を有することから表面電界強度の変化に依存しないことが分かった。さらに, アニール処理により水素が脱離したダイヤモンド表面において閾値電圧が増加することが示された。アニール処理に追加して水素プラズマ処理を施すことにより, 閾値電圧の回復が確認された。Au/ダイヤモンド接合型試料を作製し, カソード電極とダイヤモンド界面における電子の内部放出が電子放出特性に大きく影響していることを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-12-11

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