気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
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概要
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マイクロ波プラズマCVD法により、Ib型ダイヤモンド基板上にリンドープホモエビタキシャルダイヤモンド薄膜を作製した。このリンドープホモエビタキシャルダイヤモンド薄膜の表面に異なるカソード金属を蒸着し、フィールドエミッション特性のカソード金属依存性を調べた。アノードに用いた直径700μmのAuボールの位置を様々に変化させることで、カソード金属にTiを使用した場合、1×10^-9Aのエミッション電流を得るために必要な電界が15V/μmと評価された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-04
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
横田 裕子
大阪大学大学院工学研究科
-
小泉 聡
独立行政法人 物質・材料研究機構
-
小泉 聡
物材機構
-
栗山 憲治
大阪大学大学院工学研究科
-
小泉 聡
無機材質研究所
-
加茂 睦和
無機材質研究所
-
小泉 聡
物質・材料研究機構物質研究所
-
小泉 聡
青山学院大学理工学部電気電子工学科
-
加茂 睦和
無機材質研
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