リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
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概要
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InP基板上に作製したAlInAs/InGaAsHEMTウエハーを用いて昇温時に起こるAlInAs層へのフッ素原子の侵入を抑制するプロセス技術を検討した。プラズマプロセスによるAlInAs層表面に吸着しているフッ素原子の除去およびフッ素原子に対する拡散障壁層の形成が試みられた。室温と250℃でAlInAs層表面にフォスフィンプラズマ処理を施すことにより、その後の400℃でのアニール処理においてもフッ素原子の侵入が抑制されてることがSIMS測定により示された。また、ホール測定により2次元電子ガス濃度の低下も抑制されていることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中島 成
住友電気工業
-
中島 成
住友電気工業株式会社
-
山本 健輔
大阪大学大学院工学研究科
-
藤田 憲生
大阪大学大学院工学研究科
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