高出力電界効果トランジスタの最近の動向
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概要
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ディジタル無線通信中継基地局に用いられる高出力デバイスには,高出力化と低ひずみ化が強く求められている.この要求に対して,従来のSi LDMOS, GaAs FETに加えて,高耐圧特性を示すワイドバンドギヤップ半導体であるSiCやGaNを用いたデバイスの開発が行われている.本論文では,各種デバイスの構造を概観した後,出力特性,ひずみ特性の比較を行い,最後に今後の動向を述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-01
著者
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中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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中島 成
住友電気工業
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中島 成
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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中島 成
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:(現)ユーディナデバイス株式会社
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