基板表面酸化によるplanar型GaASMESFETの高周波特性改善
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概要
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無線通信基地局用高周波パワーFETには高出力、低歪特性が要求されるが、これら諸特性にはFETのチャネル構造の他に、GaAs表面状態などが大きく影響することが知られている。本研究では特に表面状態に着目し、意図的に基板を酸化することによって表面状態を制御することを試みた。最適化された酸化プロセスによって出力、歪特性ともに改善することが出来たので、その結果を物性評価の結果とともに報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
斎藤 吉広
住友電気工業(株)
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中島 成
住友電気工業
-
斎藤 吉広
住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所
-
鍵山 知宏
住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所
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