非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP 複合チャネルFET
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概要
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InGaP FET の電子輸送特性を改善するためにGaAs/InGaP複合チャネルFETを提唱してきた。今回GaAs/InGaP複合チャネルFETに非対称LDD構造を適用し、さらにゲート・ドレイン間距離(Lgd)を最適化することにより、2端子耐圧を50Vまで改善し高電圧動作を可能とした。結果としてSi.LDMOSと同等の26V動作時に1.1W/mmの高出力特性を達成した。高電圧動作化により3次相互変調歪み特性(IM3)も従来のGaAs FETと比較して13dBの改善が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-09
著者
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中田 健
関西労災病院外科
-
中田 健
住友電気工業
-
中島 成
住友電気工業
-
Nakada Ken
Department Of Veterinary Theriogenology School Of Veterinary Medicine Rakuno Gakuen University
-
増山 竜二
住友電気工業
-
中田 健
酪農学園大学獣医学部獣医臨床繁殖学教室
-
中田 健
酪農学園大 獣医
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