GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
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概要
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リモートフオスフインプラズマプロセスを用いてGaAs表面のリン化処理を行った。リン化されたGaAs表面でAs酸化物の生成が抑制される。リン化処理を行い作製したGaAsショットキー接合において障壁高さの金属仕事関数依存性が見いだされ、リン化処理が表面準位密度の低減に効果的であることが示された。又、GaAs MESFETに直接フォスフィンプラズマ処理を行い、電子デバイスの表面パッシベーションを試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-22
著者
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