非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InGaP FETの電子輸送特性を改善するためにGaAs/InGaP複合チャネルFETを提唱してきた。今回GaAs/InGaP複合チャネルFETに非対称LDD構造を適用し、さらにゲート・ドレイン間距離(Lgd)を最適化することにより、2端子耐圧を50Vまで改善し高電圧動作を可能とした。結果としてSi-LDMOSと同等の26V動作時に1.1W/mmの高出力特性を達成した。高電圧動作化により3次相互変調歪み特性(IM3)も従来のGaAs FETと比較して13dBの改善が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-09
著者
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中田 健
住友電気工業
-
中島 成
住友電気工業
-
増山 竜二
住友電気工業
-
中田 健
住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所
-
中島 成
住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所
-
増山 竜二
住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所
関連論文
- スリップ発生を抑制したイオン注入層活性化RTAシーケンスの開発
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- 大口径半絶縁性VB-GaAs基板
- 高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
- 乳牛の妊娠に伴う末梢血中免疫グロブリン濃度変化と繁殖障害発症との関連
- 乳牛の分娩前後の末梢血中インターロイキン-6濃度変化と分娩後繁殖障害発症との関係(臨床繁殖学)
- 乳牛の分娩前後の末梢血中インタｰロイキン-6濃度変化と分娩後繁殖障害発症との関係
- C-2-40 CATV用低歪みGaAsパワーアンプMMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 日本のサラブレッド種雄馬における繁殖シーズンの精子形態(臨床繁殖学)
- 分娩後早期の繁殖雌豚へのジノプロストおよびフェンプロスタレン投与がその後の繁殖成績に及ぼす影響
- 乳牛の繁殖成績向上のためのこれからの繁殖管理とは (特集:獣医繁殖学技術の基本と実際(2))
- 乳牛におけるGnRHとPGF_およびhCG投与による排卵同期化および定時人工授精の検討
- 乳牛の卵巣嚢腫に対するプロジェステロン放出膣挿入剤投与の安全性と治療効果(臨床繁殖学)
- 診療のためのホルモン濃度測定 (特集 獣医繁殖技術の基本と実際)
- 講座 やさしい牛の繁殖ホルモン
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 基板表面酸化によるplanar型GaASMESFETの高周波特性改善
- 超高速GaAs ICプロセス
- 高出力GaAs/InGaP複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP 複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を採用した高出力・低歪みパワーFETの開発
- C-10-9 InGaP/GaAs複合チャネルFET
- 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
- 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
- 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
- 高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
- C-10-13 パルスドープ構造ヘテロMESFETのB級動作時の歪み特性
- パルスドープ構造ヘテロMESFETの3次歪み特性の解析
- 非対称LDD構造によるパルスドープヘテロMESFETの出力特性改善
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- C-10-9 グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- 酪農学園大学附属農場における疾病発生に関する疫学的調査 : 〜生産関連情報のデータベース化の試みとして〜
- 牛の門脈および肝静脈血の長期安定採取には超音波ガイドによるオーバーザワイヤーカテーテル法が有効であった
- 春機発動前の雌ウシにおけるGnRH投与後の末梢血中黄体形成ホルモンおよび卵胞刺激ホルモン濃度の変化
- C-2-42 5GHz帯低コスト4W GaAs WLANアンプモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-32 InGaP-HBTを用いた高出力パワーアンプ用リニアライザモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 6-2 衛星放送受信用低雑音MMICアンプ
- BSコンバータ用GaAsMMIC : コンシューマエレクトロニクス,放送方式,放送現業
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- GaAs MESFETのドレインコンダクタンス周波数分散のデバイス構造依存性
- デンマークにおける牛の情報管理システム
- 乳牛の繁殖成績向上のための鍵とは
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 高出力電界効果トランジスタの最近の動向
- PS-141-2 当院における肝切除パス導入効果とバリアンス解析(PS-141 肝 周術期管理-1,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-094-5 鏡視下手術からみた肝細胞癌の治療戦略(PS-094 肝 鏡視下,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-110-4 腹膜転移陽性進行胃癌に対する集学的治療成績と審査腹腔鏡の役割(SF-110 サージカルフォーラム(110)胃 集学的治療,第112回日本外科学会定期学術集会)
- C-4-15 バットジョイントによるInP系90°ハイブリッド集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- C-4-10 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型PDアレイの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)