高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
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概要
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InGaPの電子輸送特性を改善するため、GaAs/InGaP複合チャネルMESFETを検討した。今回試作したFETは、InGaP単層チャネルFETに比べ、ほぼ同一の耐圧を示しながらImaxが約30%、gmが約15%向上した。これは、電界強度の上昇に伴いヘテロ接合界面のGaAs側の高移動度電子が高破壊電界をもつInGaP中へ遷移する効果によるものと考えられる。パワー特性においても、複合チャネルFETは出力、利得、効率においてInGaP単層チャネルFETを上回る性能を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-13
著者
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中田 健
住友電気工業
-
田中 邦男
住友電気工業株式会社高周波機能デバイス開発部
-
中島 成
住友電気工業
-
中島 成
ユーディナデバイス株式会社
-
乙部 健二
住友電気工業株式会社 高周波機能デバイス開発部
-
中田 健
酪農学園大学獣医学部獣医臨床繁殖学教室
-
田中 邦男
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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