パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
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概要
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線形性の良いパルスドープ構造GaAs MESFETが低歪みアンプへの応用に適していることを示した。さらに低歪み特性と低消費電力を同時に実現するため、ロードプル測定結果に基づく低消費電力設計手法を導入し、1.5GHz帯携帯電話中継器用パワーアンプモジュールを開発した。その結果、ドレイン電圧8Vにおいて3次相互変調歪み抑圧比が-40dBc時の出力が28dBmで、電力付加効率が11%と良好な特性を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-12
著者
-
乙部 健二
住友電気工業株式会社 高周波機能デバイス開発部
-
桑田 展周
住友電工 オプトエレクトロニクス研究所
-
橋長 達也
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
桑田 展周
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
松崎 賢一郎
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
橋長 達也
住友電気工業株式会社
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