1.9GHz帯パワーアンプモジュール
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概要
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線形性に優れたGaAsパルスドープMESFETを使用した、PHS基地局用パワーアンプモジュール(20mW 7ch用)を開発した。PHSではπ/4シフトQPSK変調された信号を増幅するために隣接チャネル漏洩電力がパワーアンプの特性を決める重要なパラメータとなる。パワーアンプの設計にはロードプル、ソースプル測定を行い、隣接チャネル漏洩電力に対し最適負荷および信号源反射係数を求めた。リバースIM_3特性にはゲート幅の最適化を行った。また、パルスドープMESFETの線形性を利用した温度補償設計を行い、出力30dBm時の隣接チャネル漏洩電力600kHz離調は-62dBc、電力付加効率33%、-20〜75℃の温度範囲での隣接チャネル漏洩電力600kHz離調の変動は1.5dB以下を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-12
著者
-
乙部 健二
住友電気工業株式会社 高周波機能デバイス開発部
-
橋長 達也
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
松崎 賢一郎
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
橋長 達也
住友電気工業株式会社
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