800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ

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概要

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• 携帯電話中継基地局の小型化、低消費電力化を実現する為には、マルチキャリアを増幅する送信用パワーアンプの相互変調歪を抑え低歪化することが必要である。一方、パワーアンプに搭載するトランジスタはインピーダンスが非常に低いため、800MHz帯携帯電話の全ての周波数帯域で低歪化を実現することは難しい。今回、パルスドープ構造GaAsMESFETを用い、実装設計を含めた低歪回路設計を行い、800MHz帯携帯電話のレピータ用パワーアンプを開発した。結果として、低消費電力(52W)でアナログ、デジタル双方の周波数帯域において、出力32.8dBm以上(IM3=-49.3dBc)の性能を実現した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-06-12

著者

• 乙部 健二

  住友電気工業株式会社 高周波機能デバイス開発部

• 橋長 達也

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 志賀 信夫

  住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所

• 松崎 賢一郎

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 志賀 信夫

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 橋長 達也

  住友電気工業株式会社

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