6-2 衛星放送受信用低雑音MMICアンプ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A 12GHz-band monolithic four-stage low-noise amplifier was successfully demonstrated. This MMIC amplifier is based on pulse-doped GaAs MESFET technology with 0.3μm gate. A noise figure of 1.1dB and a gain of 26dB at 12GHz with VSWR matches of less than 1.6 were achieved.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-07-28
著者
-
中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
林 秀樹
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
中島 成
住友電気工業
-
関口 剛
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
乙部 健二
住友電気工業株式会社 高周波機能デバイス開発部
-
桑田 展周
住友電工 オプトエレクトロニクス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
桑田 展周
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
松崎 賢一郎
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
志賀 信夫
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
-
林 秀樹
住友電気工業株式会社
関連論文
- スリップ発生を抑制したイオン注入層活性化RTAシーケンスの開発
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- 大口径半絶縁性VB-GaAs基板
- 高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
- C-2-40 CATV用低歪みGaAsパワーアンプMMIC(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 3インチ径InP基板上へのGbit/s帯pin/HEMT受信OEICの作製
- 低コストプロセスで作製した0.10μm GaAs MESFET(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- i線露光形成によるゲート長0.18μmGaAs-MESFETの信頼性(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- InPパッシベーション構造pin PDを集積化した光電子集積デバイスとその応用
- 基板表面酸化によるplanar型GaASMESFETの高周波特性改善
- 超高速GaAs ICプロセス
- 高出力GaAs/InGaP複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP 複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET
- 非対称LDD構造を採用した高出力・低歪みパワーFETの開発
- C-10-9 InGaP/GaAs複合チャネルFET
- 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
- 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
- 高出力・低歪み非対称LDD構造パルスドープFETの開発
- 高出力InGaP/GaAs複合チャネルFET
- C-10-13 パルスドープ構造ヘテロMESFETのB級動作時の歪み特性
- パルスドープ構造ヘテロMESFETの3次歪み特性の解析
- 非対称LDD構造によるパルスドープヘテロMESFETの出力特性改善
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- C-10-9 グレーディッドパルスドープチャネルヘテロ構造FET
- 電磁波を拓いた人たち-日本人も歩んだ400年の旅-, 福田益美(著), アドスリー, 2008-11, A5判, 定価(本体2,500円+税)
- CT-1-2 産業界における化合物半導体デバイスの役割と展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- C-2-42 5GHz帯低コスト4W GaAs WLANアンプモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-32 InGaP-HBTを用いた高出力パワーアンプ用リニアライザモジュール(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-3-139 3.3V 単一電源同軸型 10Gb/s PD プリアンプモジュール
- 雑音耐性に優れた光受信モジュール
- 6-2 衛星放送受信用低雑音MMICアンプ
- 3) BSコンバータ用GaAs MMIC(〔コンシューマエレクトロニクス研究会 放送方式研究会 放送現業研究会〕合同)
- BSコンバータ用GaAsMMIC : コンシューマエレクトロニクス,放送方式,放送現業
- 1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
- 800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ
- 1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
- 800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ
- GaAsICのシミュレーション技術
- Heroepitaxy and Strained-Layer Superlattice(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- イオン注入用半絶縁性VB-GaAs基板のデバイス特性評価
- GaAs MESFETのドレインコンダクタンス周波数分散のデバイス構造依存性
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 高出力電界効果トランジスタの最近の動向
- 200℃動作SiCスイッチングモジュールの開発
- BSコンバ-タ用GaAs MMIC
- PINアンプモジュ-ル
- CS-2-1 マイクロ波デバイス産業界から高等教育に期待すること(C-2. 高等専門教育課程におけるマイクロ波研究,シンポジウムセッション)
- B-9-1 高速スイッチングSiC JFETによるPWM電源(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- 200℃動作SiCスイッチングモジュールの開発
- B-9-2 SiC JEFTによる高速スイッチング電源の開発(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- TK-2-2 長寿命社会における大学への期待 : 大学の外からの視点(TK-2.長寿命社会におけるICTサービス-学会と大学への期待-,大会委員会企画)
- TK-2-2 長寿命社会における大学への期待 : 大学の外からの視点(TK-2.長寿命社会におけるICTサービス-学会と大学への期待-,大会委員会企画)
- TK-2-2 長寿命社会における大学への期待 : 大学の外からの視点(TK-2.長寿命社会におけるICTサービス-学会と大学への期待-,大会委員会企画)