i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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概要
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イオン注入法とi線露光技術を用いた低コストで均一性の高い0.18μm GaAs-MESFET製造プロセスを開発し、f_T>100GHz動作を実現した。0.18μmFETの高温通電試験を行い、活性化エネルギー1.54ev、接合温度150℃における平均寿命2.4×10^5時間を得た。断面TEM観察及びEDX分析を用い故障解析を行った結果、故障モードはゲート長0.8μmGaAs-MESFETと 同じゲート金属とGaAs界面におけるTiのシンキングであることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス株式会社
-
渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
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福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
-
登坂 保弘
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス
-
登坂 保弘
ユーディナデバイス
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中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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