高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発

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概要

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高均一、高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発を行った。HBTはシングルヘテロ構造であり、エミッタ-ベース間のリーク電流を低減するためにInPパッシベーション構造を採用した。また、デバイスへのダメージを低減するため、ウエットエッチングのみでHBTメサを形成した。コレクタ電流密度が1mA/μm^2におけるHBTの電流増幅率、遮断周波数、最大発振周波数はそれぞれ、45.4、151.1GHz、171.8GHzであった。また、これらの3インチ面内における均一性はそれぞれ2.8%、2.6%、1.5%と良好な特性を示した。また、高温通電試験を行ったところ、通電初期の特性変動がほとんど見られず、活性化エネルギー1.5eV、接合温度150℃における平均寿命5x10^6時間と、実使用に十分耐えうる信頼性を確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-01-09

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