ヨウ化水素ガスを用いたInP基板へのビアホール形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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ヨウ化水素(HI)ガスを用いて高速、低温でInPのICPエッチングを行い、裏面ビアホールを形成した。保護マスクには、耐熱性に優れたネガ型のドライフィルムレジスト(DFR)を用いた。基板温度130℃という比較的低温で、エッチングレート1.5μm/min、レジスト選択比15が得られた。また、表面金属配線との選択比は20であり、容易に表面金属/InP界面でエッチングを止めることができた。15μmのメッキを行い形成したビアホールのsパラメータ評価から、3インチウエハ面内の平均ビアインダクタンスとして12.1pHが得られ、計算結果(12.7pH)とほぼ一致する結果を得た。ビアの信頼性を評価するために、150℃から-65℃のヒートサイクル試験を100サイクル行った。試験後チップ外観に問題はなく、本ビア形成プロセスが十分に実用レベルにある事が分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-04
著者
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