ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐圧特性を実現する次世代パワースイッチングデバイスへの応用が期待されている。しかしながら、現在広く用いられているNi/Auのショットキ電極はゲートリーク電流が大きいという問題がある。そのため、信頼性の低下や消費電力の増大が懸念される。今回、我々はショットキ接合界面にITOを用いることでリーク電流を大幅にし、温度依存性を測定してそのメカニズムを考察した。次にITO/Ni/Au電極を用いたHEMTを作製してNi/Auとの比較を行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
-
中田 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
川崎 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
八重樫 誠司
ユーディナデバイス株式会社
-
中田 健
住友電気工業株式会社
-
松田 慶太
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
五十嵐 武司
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
八重樫 誠司
住友電気工業株式会社
-
中田 健
ユーディナデバイス(株)
-
松田 慶太
ユーディナデバイス(株)
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