八重樫 誠司 | 住友電気工業株式会社
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概要
関連著者
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社
-
八重樫 誠司
ユーディナデバイス株式会社
-
川崎 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
中田 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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中田 健
住友電気工業株式会社
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矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
-
中田 健
ユーディナデバイス(株)
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小谷 謙司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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川崎 健
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
小谷 謙司
ユーディナデバイス株式会社
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小谷 謙司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
川崎 健
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
山日 竜二
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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松田 慶太
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
五十嵐 武司
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
松田 慶太
ユーディナデバイス(株)
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柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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木山 誠
住友電工アドバンストマテリアル研究所
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木山 誠
住友電気工業(株)伊丹研究所
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中村 孝夫
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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中田 健
住友電気工業
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中村 孝夫
山形大学大学院医学系研究科生命環境医科学専攻
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中村 孝夫
住友電工半導体研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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上野 昌紀
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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片山 浩二
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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中村 孝夫
住友電気工業(株)半導体研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業
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勝山 造
住友電気工業
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岡田 政也
住友電気工業株式会社
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斎藤 雄
住友電気工業株式会社
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横山 満徳
住友電気工業株式会社
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勝山 造
住友電気工業株式会社
-
片山 浩二
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
中村 孝夫
住友電気工業株式会社 半導体技術研究所
-
片山 浩二
住友電気工業
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上野 昌紀
住友電気工業
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ブリン ギローム
米国ACCO
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タジマ ユースケ
米国ACCO
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古館 清吾
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
山日 竜二
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
八重樫 誠司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
著作論文
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
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- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
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- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
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- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化
- リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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