矢野 浩 | ユーディナデバイス株式会社
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概要
関連著者
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矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
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八重樫 誠司
ユーディナデバイス株式会社
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矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社
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川崎 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
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小谷 謙司
ユーディナデバイス株式会社
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小谷 謙司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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川崎 健
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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小谷 謙司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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川崎 健
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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中島 成
ユーディナデバイス株式会社
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渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
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福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス
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中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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登坂 保弘
ユーディナデバイス株式会社
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登坂 保弘
ユーディナデバイス
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ブリン ギローム
米国ACCO
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タジマ ユースケ
米国ACCO
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古館 清吾
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
著作論文
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- 低コストプロセスで作製した0.10μm GaAs MESFET(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- i線露光形成によるゲート長0.18μmGaAs-MESFETの信頼性(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- ヨウ化水素ガスを用いたInP基板へのビアホール形成(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)