福士 大地 | ユーディナデバイス株式会社
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概要
関連著者
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中島 成
ユーディナデバイス株式会社
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渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
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福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス
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中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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中島 成
住友電気工業
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登坂 保弘
ユーディナデバイス株式会社
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渡邉 昌崇
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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福士 大地
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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登坂 保弘
ユーディナデバイス
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澤田 宗作
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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澤田 宗作
住友電気工業(株)
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澤 卓
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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関口 剛
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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澤 卓
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部
著作論文
- 低コストプロセスで作製した0.10μm GaAs MESFET(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- i線露光形成によるゲート長0.18μmGaAs-MESFETの信頼性(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- i線露光とイオン注入を用いた0.18μm高速GaAs-MESFET作製プロセス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)