低コストプロセスで作製した0.10μm GaAs MESFET(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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我々は低コストのプロセスを用いでゲート長0.1μmのGaAs MESFETを作製する事に成功した.このFETはi線リソグラフィ,レジストエッチング,イオン注入技術を用いたSingle Resist layer Dummy gate (SRD)技術を基に作製された.SRDプロセスは,従来の光露光を用いてサブクォーターミクロンのゲート長を得る事ができる点が特長である.これまでの開発で,この技術を用いてゲート長0.18μmのFETを作製する事に成功していた.しかしSi0_2開口部のパターン変換差の影響で,ゲート長0.1μm以下のFETを作製するのは困難であった.本研究では,パターン変換差を抑制するためにSRDプロセスにコリメートスパッタ技術を適用した.その結果Si0_2開口長のパターン変換差は0.02μmに減少し,i線リソグラフィを用いて0.10μmのゲート長を得る事に成功した.改良したSRDプロセスを用いてGaAs MESFETを試作し,f_T=81GHz, f_<max>=142GHzの高速性を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-08
著者
-
矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
-
中島 成
ユーディナデバイス株式会社
-
渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
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福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス
-
中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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