i線露光形成によるゲート長0.18μmGaAs-MESFETの信頼性(<特集>化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
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概要
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イオン注入法とi線露光技術を用いた低コストで均一性の高い0.18μmGaAs-MESFET製造プロセスを開発し,f_T>100GHz動作を実現した.0.18μmFETの高温通電試験を行い,活性化エネルギー1.54eV,接合温度150℃における平均寿命2.4×10^5時間を得た.断面TEM観察及びEDS分析による故障解析の結果,主な故障モードはゲート長0.80μmFETと同様にゲート電極とGaAs界面でのゲートシンキングであることを確認した.また,高温通電試験によるI_d減少量は,TiがGaAsに拡散するゲートシンキングだけでは定量的に説明できず,ドレーン端近傍でのインパクトイオン化等が絡んだ複合的な劣化機構の存在が明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス株式会社
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渡邉 昌崇
ユーディナデバイス株式会社
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福士 大地
ユーディナデバイス株式会社
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登坂 保弘
ユーディナデバイス株式会社
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中島 成
ユーディナデバイス
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登坂 保弘
ユーディナデバイス
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中島 成
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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