InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
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概要
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InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTを作製し、信頼性評価を行った。信頼性試験は、接合温度255℃、280℃、コレクタ電流密度100 kA/cm^2の条件で行い、活性化エネルギー、寿命の評価を行った。また、コレクタ電流密度を変化させ、電流ストレス依存性についても調べた。作製したHBTは、InPパッシベーションを持たないHBTと比べ、エミッタ・ベース間のリーク電流が少なく安定した挙動を示した。接合温度255℃、試験時間4,411時間のときのコレクタ電流密度100 kA/cm^2 における電流増幅率とターンオン電圧の変動は、それぞれ7%、1%以下であった。得られた活性化エネルギーは1.5 eVであり、接合温度150℃での寿命として500万時間が得られた。また、電流加速指数は1.3であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-21
著者
-
柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
川崎 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
-
柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
山日 竜二
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
小谷 謙司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
川崎 健
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
八重樫 誠司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
-
小谷 謙司
ユーディナデバイス株式会社
-
八重樫 誠司
ユーディナデバイス株式会社
-
山日 竜二
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
-
八重樫 誠司
住友電気工業株式会社
-
小谷 謙司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
川崎 健
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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