C-3-105 パッシブアライメント構造を用いた小型10Gb/s PIN-AMPモジュールの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
藤村 康
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
岨 宗介
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
藤村 康
住友電気工業株式会社 オプエトレクトロニクス研究所
-
藤村 康
住友電気工業株式会社
-
木田 雄次
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
-
勝山 造
住友電気工業
-
藤村 康
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
関連論文
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- InGaAs/InPアナログPDモジュールの開発
- InGaAsP/InGaAs WDM-PDモジュールの開発
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C3-35 多チャンネル可変光減衰器(VOA)の低消費電力化
- 大入力動作・広実装トレランスを有する裏面入射型PDの開発
- C-12-10 100GEトランシーバ用25Gb/s高利得TIA(C-12.集積回路,一般セッション)
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- C-3-13 光送信デバイスの高精度接着組立技術の開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-9-5 100GBase-ER4用25Gbit/s-1.3um小型EAM/DFB-LDモジュール(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- 3インチ径InP基板上へのGbit/s帯pin/HEMT受信OEICの作製
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 超小型・低背化10Gb/s-PIN-AMPモジュールの開発
- C-3-105 パッシブアライメント構造を用いた小型10Gb/s PIN-AMPモジュールの開発
- InPパッシベーション構造pin PDを集積化した光電子集積デバイスとその応用
- InPパッシベ-ション構造pin PDとその応用
- 3インチInP基板上への低暗電流メサ型GaInAs pin PDの作製
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-62 低コスト10Gbit/s温調EML-TOSAの開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 3.3V動作ギガビットイーサネット用光リンクモジュール
- 雑音耐性に優れた光受信モジュール
- 50%透過型PDを用いたTCM用双方向光モジュールの開発
- 3インチ径Feド-プInP基板上のInGaAs層の結晶性評価
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-10-4 Design of 77GHz InP based DHBT Push-Push MMIC VCO
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP系受信OEIC
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 低転位GaN基板上縦型HFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-3-63 小型セラミックパッケージを用いた直接変調TOSAの開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-136 低損失小型多チャンネル光信号強度モニタの開発
- 小型多チャンネル光信号強度モニタの開発
- B-10-45 表面実装型10Gb/S PIN-AMPモジュールの開発
- 2.5Gb/s用光リンクモジュ-ル
- 通信用半導体レーザの開発
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-114 40GBASE-LR4 QSFP+用WDM集積小型光受信モジュールの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-3-47 100Gbit/s小型WDM集積光送信モジュールの開発(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-22 光合波機能を一体化した100Gbit/s小型集積光送信モジュール(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-20 光分波機能を内蔵した100Gbit/s小型光受信モジュールの開発(C-3.光エレクトロニクス)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)