25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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バットジョイント集積技術を用いて、初めてGaInNAs系EA-DFBレーザを試作した。作製した素子は、SMSR45dB以上のシングルモード発振(25〜120℃)と、15dB以上の消光特性(25〜100℃)を示した。各温度においてEAバイアスを調整することで、25〜100℃において2.5Gbpsで無温調で動作した。また素子容量を低減することで、10Gbps動作を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
大西 裕
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
-
山田 隆史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
石塚 貴司
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
藤井 康祐
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業
-
辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
-
福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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