情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 八木 英樹

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

関連論文

• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 情報通信 埋め込みトンネル接合を用いた長波長GaInNAs VCSEL
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 基礎からわかるナノデバイス, 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎(共著), コロナ社, 2011-03, A5判, 定価(本体3,400円+税)
• C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-55 3x1 MMIカプラを用いたDP-QPSK変調器の提案(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 バットジョイントによるInP系90°ハイブリッド集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• OFC/NFOEC2013報告 : アクティブモジュール/集積デバイス・シリコンフォトニクス(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,光増幅・中継技術,非線形・偏波問題,コア・メトロシステム,海底伝送システム,光伝送システム設計・ツール,一般(OFC報告))
• B-10-86 InP系90゜ハイブリッド集積型PDを用いた100Gb/s小型コヒーレントレシーバ(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• InP系90°ハイブリッド集積PDを搭載した小型コヒーレントレシーバ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• C-4-10 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド集積型PDアレイの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク