ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
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概要
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電子ビーム露光法とCH_4/H_2反応性イオンエッチング及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いることにより、GaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(周期80nm、細線幅18nm、27nm)を作製し、これらの量子細線の幅をSEMにより測定を行った結果、その分布の標準偏差が±2nm以下となったこと、ならびに、自然放出光スペクトル幅が同一基板から作製された量子薄膜レーザのそれと323Kまで同等となったことからサイズ均一性に優れていることを示した。また、室温において、これらの量子細線レーザの外部微分量子効率は量子薄膜レーザのそれと同等となり、ドライエッチングと埋め込み再成長法に起因した光吸収損失はほとんど生じていないことを示した。以上の結果から本作製法がサイズ均一性に優れた極微構造形成に有効であることを明らかにした。
- 2002-06-28
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
村主 賢悟
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
佐野 琢哉
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐野 琢哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐野 琢哉
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
-
村主 賢悟
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
-
八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
-
八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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