BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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10Gbit/sを超える高速直接変調を目的として、BCB(ベンゾシクロブテン)埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP分布帰還(DFB)レーザを作製した。作製したレーザにおいて、20GHz以上の良好な回路帯域が得られ、BCB埋め込み構造による低容量化の効果を確認した。動作温度25℃では消光比6dB、26Gbit/s直接変調において、光出力波形の明瞭なアイ開口を観測し、さらに、消光比5dB、14Gbit/s直接変調では温度85℃までの無温調動作を達成した。以上の結果から、BCBを用いた平坦化プロセスによるリッジ導波路型レーザが、10Gbit/s超の高速直接変調をターゲットとした光源として、有望であることを明らかにした。
- 2009-06-12
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
大西 裕
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
上坂 勝己
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
上坂 勝己
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
野間口 俊夫
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
平塚 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業 伝送デバイス研
-
八木 英樹
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
吉永 弘幸
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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