AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般)
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概要
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高速変調・高温駆動に優れたAlGaInAsレーザでは、信頼性の重要な指標であるESD耐性に関する報告がこれまでなかった。そこで今回我々は、AlGaInAsレーザのESD耐性を見積もり、1kVのESD試験での劣化率が約40%と、GaInAsPレーザの0%と比較して高いことが分かった。劣化機構を分析すると、端面の活性層での光吸収による溶解が劣化要因であることが分かった。GaInAsPレーザと比較して劣化率が高い理由は、Alを含む材料系のため活性層が酸化され易く、光吸収の要因となる非発光再結合準位が増加していることが推測された。そこでESD劣化を抑制するため、レーザ端面と端面コーティングの間に金属薄膜を挟むパッシベーションを行い、非発光再結合準位の低減を図った。その結果、1kVのESD試験での劣化率が0%とESD劣化を抑制する結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-10
著者
-
市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
松川 真治
住友電気工業株式会社解析技術研究センター
-
浜田 耕太郎
住友電気工業株式会社解析技術研究センター
-
生駒 暢之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
中林 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:住友電気工業株式会社解析技術研究センター
-
市川 弘之
住友電気工業 伝送デバイス研
-
生駒 暢之
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
-
福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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