AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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AlGaInAs端面発光型レーザは、光通信システムの光源として幅広く用いられているGaInAsP端面発光型レーザと比較して高速変調・高温動作に優れた特徴を持つ。しかしながら、ESD試験での劣化と、加速劣化試験と名付けた高電流通電試験での劣化が散見されるなど信頼性面で課題があった。そこで我々は、両課題の抑制を目指した。ESD試験では、レーザ端面の酸化抑制を意図したパッシベーションを適用することで、ESD試験電圧1kVの劣化率を40%から0%に低減した。また、加速劣化試験では、転位網の形成に寄与すると考えられる格子間原子の拡散を抑えるため、格子間距離を縮めるような圧縮応力を持つ端面コーティングを適用することで、劣化率を5%から0%に低減した。以上の検討により、AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性面の課題であったESD試験と加速劣化試験での劣化を抑制し、信頼性向上を実現した。
- 2012-08-16
著者
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市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:住友電気工業株式会社解析技術研究センター
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市川 弘之
住友電気工業 伝送デバイス研
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山崎 靖夫
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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生駒 暢之
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
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