GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、光通信システムの光源に用いられるGaInAsP/InPレーザについて、信頼性向上のための劣化解析に取り組んできた。本報告では、信頼性の重要な指標の1つであるESD劣化機構を解析した結果を報告する。ESD劣化は電圧印加極性により劣化機構が異なり、LDに対して順方向では端面活性層での光吸収による溶解が要因だが、逆方向では活性層を含むpin接合部への電界集中が要因であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-13
著者
-
山口 章
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
浜田 耕太郎
住友電気工業株式会社解析技術研究センター
-
中林 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
伊東 雅史
住友電気工業(株)横浜製作所
-
伊東 雅史
住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部
-
伊東 雅史
住友電気工業
-
山口 章
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
山口 章
住友電気工業(株)伊丹製作所
-
山口 章
住友電気工業
-
市川 弘之
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:住友電気工業株式会社解析技術研究センター
-
市川 弘之
住友電気工業 伝送デバイス研
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
-
福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
関連論文
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP埋込型レーザのエージングとESD耐性との関係
- GaInAsPレーザの端面活性層での光吸収による劣化機構とその抑制策
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP LDのESD劣化機構解析と劣化抑制技術開発
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- GaInAsP/InPレーザのESD劣化解析
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- C-3-18 4ch-心送受信光トランシーバモジュールの開発
- C-3-14 表面実装型ファイバーグレーティングレーザモジュール
- 直線型光導波路とフィルタ付PDを用いた1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
- C-3-51 ポリマー直線導波路を使った1.3/1.55μm-芯双方向モジュール
- リン化インジウム(p型)オーミックコンタクトの界面微細構造(表面・界面・薄膜と分析化学)
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- C-3-1 DWDM用波長検出機構の検討
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- SA-3-1 樹脂パッケージを用いた小型・高信頼性光アクセスデバイス
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 高 Si硬引線の強度および耐熱特性向上のメカニズム
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- Er添加ファイバの長期γ線照射試験
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発(光部品の実装,信頼性)
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発(光部品の実装,信頼性)
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発
- AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般)
- AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 分散補償ファイバ高性能化に関する検討
- 妨害線を低減するFIB-TIM試料形状の検討
- 樹脂モールドを用いた高信頼性光アクセスデバイス
- 樹脂モールドを用いた高信頼性光アクセスデバイス
- 樹脂モールドを用いた高信頼性光アクセスデバイス
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面温度低減技術(光部品の実装・信頼性、一般)
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面温度低減技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面温度低減技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- 窒化アルミニウム原料粉末及び焼結体中の転位の観察とその形成メカニズム
- 2重クラッド型分散補償ファイバの試作
- ハイブリッド型Er^添加光ファイバ増幅器を用いた波長多重伝送特性の検討
- WDM光伝送用ハイブリッド型EDFAの開発
- ハイブリッドEDFAを用いたWDM伝送特性の検討
- 直接変調光送信器と分散補償ファイバを用いた2.4Gb/s長距離無中継伝送の検討
- 分散補償ファイバ中の非線形現象抑制に関する検討
- 半導体デバイスの材料解析
- CI-1-3 半導体レーザのESD評価(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- p型InPオ-ミック電極の界面微細構造
- C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 3x1 MMIカプラを用いたDP-QPSK変調器の提案(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- B-10-85 128Gbit/s-DP-QPSK小型変調器モジュール用ドライバICの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上