端面発光型AlGaInAsレーザの端面温度低減技術(光部品の実装・信頼性、一般)

概要

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光通信波長帯に対応したAlGaInAsレーザは、光通信システムの光源として幅広く用いられているGaInAsPレーザと比較して高い性能が得られるため、今後の光通信用光源として期待されている。我々は、このAlGaInAsレーザの信頼性を精査し、十分高い信頼性が確保できることをこれまで示してきた。しかしながら、今後の高速化・高出力化要求に伴い、短共振器化による熱抵抗増大と光密度増大による端面発熱量上昇が懸念されている。温度、特に端面温度は信頼性と密接に関わる重要なパラメータであり、端面温度の上昇は信頼性の低下を招くことになる。そのため本研究ではAlGaInAsレーザの端面温度低減技術を検討した。端面温度低減のために、端面近傍の電流注入を抑制する構造、端面の光吸収を低減する構造、端面の放熱性を向上する構造を作製した。これらの構造の端面の活性層温度を評価すると、通常構造と比較して端面温度が5%、約30%、16%それぞれ低減される結果が得られ、端面温度低減には端面光吸収の低減が効果的だと分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2010-04-29