C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 2012-03-06
著者
-
八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
井上 尚子
横浜国立大学・工
-
大西 裕
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
藤井 康祐
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
河野 直哉
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
河野 直哉
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
関 守弘
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
関 守弘
住友電気工業
-
井上 尚子
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
北村 崇光
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
-
井上 尚子
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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