大西 裕 | 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

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関連著者

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 井上 尚子

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 藤井 康祐

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 増山 竜二

  住友電気工業

• 辻 幸洋

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 智和

  住友電気工業(株)

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小路 元

  住友電気工業(株) 伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 菊地 健彦

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 米田 昌博

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 石塚 貴司

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 武智 勝

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 立岩 義弘

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 井上 尚子

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 勝山 智和

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 八木 英樹

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 立岩 義弘

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部

• 米田 昌博

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 菊地 健彦

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 市川 弘之

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 上坂 勝己

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 上坂 勝己

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 市川 弘之

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 吉永 弘幸

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 野間口 俊夫

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 平塚 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 市川 弘之

  住友電気工業 伝送デバイス研

• 吉永 弘幸

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 井上 尚子

  横浜国立大学・工

• 小路 元

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 山口 章

  住友電気工業

• 田辺 達也

  住友電気工業

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)

• 河野 直哉

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 田辺 達也

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 河野 直哉

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 関 守弘

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 三浦 貴光

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 武智 勝

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所回路技術研究部

• 関 守弘

  住友電気工業

• 北村 崇光

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業

• 武智 勝

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 増山 竜二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

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著作論文

• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 情報通信 BCB平坦化プロセスによる1.3μum波長帯AlGalnAs/lnPリッジ導波路型レーザ
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 情報通信 埋め込みトンネル接合を用いた長波長GaInNAs VCSEL
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-55 3x1 MMIカプラを用いたDP-QPSK変調器の提案(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 バットジョイントによるInP系90°ハイブリッド集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
• コヒーレントレシーバの高感度化に向けた90°ハイブリッド集積型受光素子(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))

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