勝山 造 | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

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• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業

• 加藤 隆志

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 辻 幸洋

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 山口 章

  住友電気工業

• 佐々木 吾朗

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 村田 道夫

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 中西 裕美

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 加藤 隆志

  住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所

• 山林 直之

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 山林 直之

  光インターコネクション住電研究室 Rwcp

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 吉田 和宣

  フォト・エレクトロン事業部

• 石塚 貴司

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 藤井 康祐

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 順一

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 稲田 博史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 村田 誠

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 三浦 貴光

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 吉永 弘幸

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 山口 章

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 大西 裕

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 村田 道夫

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 八木 英樹

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 吉永 弘幸

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 村田 誠

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 加藤 隆志

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 稲田 博史

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 三浦 貴光

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 中西 裕美

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 中西 裕美

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 吉田 和宣

  フォト・エレクトロン事業部住友電気工業株式会社

• 福田 智恵

  住友電気工業株式会社伝送デ

• 山林 直之

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 山口 章

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 勝山 造

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 山林 直之

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 吉田 和宣

  住友電気工業株式会社フォト・エレクトロン事業部

• 北山 賢一

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 橋本 順一

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 加藤 隆志

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 佐々木 吾朗

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 猪口 康博

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 北山 賢一

  住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会

• 石田 晶

  研究開発部門

• 加藤 隆志

  住友電気工業(株)

• 加藤 隆志

  住友電気工業

• 伊東 雅史

  住友電気工業(株)横浜製作所

• 高岸 茂典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部

• 佐々木 吾朗

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業

• 村田 道夫

  住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業

• 猪口 康博

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 佐々木 吾朗

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 高岸 成典

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電エオプトエレクトロニクス研

• 山口 章

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 勝山 造

  光インターコネクション住電研究室, RWCP

• 石田 晶

  住友電気工業株式会社究開発部門

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 井上 亨

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 川端 吉純

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 高橋 成治

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 伊藤 雅史

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 柴田 俊和

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 佐々木 吾郎

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 佐々木 吾郎

  住友電気工業(株)

• 橋本 順一

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 加藤 隆志

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 北山 賢一

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 佐々木 吾朗

  オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社

• 吉永 弘幸

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  財団法人光産業技術振興協会

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会

• 勝山 造

  財団法人光産業技術振興協会

• 猪口 康博

  財団法人光産業技術振興協会

• 山田 隆史

  財団法人光産業技術振興協会

• 石田 晶

  財団法人光産業技術振興協会

• 柴田 俊和

  住友電気工業

• 井上 亨

  住友電気工業

• 田辺 達也

  住友電気工業

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 田和 克久

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 河原 孝彦

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 石塚 貴司

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• 藤井 康祐

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 山田 隆史

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 福田 智恵

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 高橋 成治

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 嵯峨 宣弘

  住友電気工業(株)

• 川端 吉純

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 田辺 達也

  住友電気工業(株)半導体技術研究所

• 田和 克久

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• 八木 英樹

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  住友電気工業株式会社

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著作論文

• C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
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• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
• GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作

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