橋本 順一 | 財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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概要
関連著者
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橋本 順一
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
勝山 造
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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加藤 隆志
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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加藤 隆志
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所
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佐々木 吾朗
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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辻 幸洋
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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辻 幸洋
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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勝山 造
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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勝山 造
住友電気工業
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橋本 順一
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山田 隆史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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高木 敏男
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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小山 健二
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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加藤 隆志
住友電気工業(株)
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加藤 隆志
住友電気工業
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佐々木 吾朗
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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佐々木 吾朗
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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村田 道夫
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山口 章
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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山口 章
住友電気工業
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山口 章
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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中西 裕美
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山林 直之
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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高木 敏男
住友電気工業株式会社光インターコネクション住電研究室, RWCP
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山林 直之
光インターコネクション住電研究室 Rwcp
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小山 健二
住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所
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辻 幸洋
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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塩崎 学
住友電気工業株式会社解析技術研究センター
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吉田 和宣
フォト・エレクトロン事業部
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橋本 順一
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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稲田 博史
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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村田 誠
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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三浦 貴光
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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吉永 弘幸
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
塩崎 学
住友電気工業株式会社
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福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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石塚 貴司
住友電気工業(株)半導体技術研究所
-
藤井 康祐
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
-
塩崎 学
住友電気工業株式会社cae研究センター
-
村田 道夫
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
八木 英樹
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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吉永 弘幸
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
村田 誠
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
加藤 隆志
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
稲田 博史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
三浦 貴光
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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中西 裕美
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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山口 章
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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岩島 徹
住友電気工業株式会社横浜研究所
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茂原 政一
住友電気工業株式会社横浜研究所
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中西 裕美
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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吉田 和宣
フォト・エレクトロン事業部住友電気工業株式会社
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加藤 隆志
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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佐々木 吾朗
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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村嶋 清孝
住友電気工業株式会社横浜研究所
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大西 裕
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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岩島 徹
住友電気工業株式会社
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村嶋 清孝
住友電気工業株式会社
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茂原 政一
住友電気工業 横浜研
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茂原 政一
住友電気工業株式会社光通信研究所
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福田 智恵
住友電気工業株式会社伝送デ
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山林 直之
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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山口 章
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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勝山 造
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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山林 直之
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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吉田 和宣
住友電気工業株式会社フォト・エレクトロン事業部
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北山 賢一
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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橋本 順一
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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塩崎 学
CAE研究センター
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猪口 康博
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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北山 賢一
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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石田 晶
住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会
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石田 晶
研究開発部門
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塩崎 学
住友電気工業 解析技研セ
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伊東 雅史
住友電気工業(株)横浜製作所
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高岸 茂典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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伊東 雅史
住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部
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高岸 成典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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伊東 雅史
住友電気工業
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村田 道夫
住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所
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石田 晶
住友電気工業
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猪口 康博
住友電気工業 オプトエレクトロニクス研
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高岸 成典
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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高岸 成典
住友電エオプトエレクトロニクス研
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橋本 順一
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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山口 章
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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勝山 造
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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石田 晶
住友電気工業株式会社究開発部門
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八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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井上 亨
住友電気工業(株)横浜研究所
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川端 吉純
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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高橋 成治
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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伊藤 雅史
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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柴田 俊和
住友電気工業(株)横浜研究所
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佐々木 吾郎
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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佐々木 吾郎
住友電気工業(株)
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加藤 隆志
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
-
北山 賢一
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
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佐々木 吾朗
オプトエレクトロニクス研究所住友電気工業株式会社
-
高木 敏男
光インターコネクション住電研究室, RWCP
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茂原 政一
横浜研究所
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村嶋 清孝
横浜研究所
-
岩島 徹
CAE研究センター
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吉永 弘幸
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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小山 健二
財団法人光産業技術振興協会
-
橋本 順一
財団法人光産業技術振興協会
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勝山 造
財団法人光産業技術振興協会
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猪口 康博
財団法人光産業技術振興協会
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山田 隆史
財団法人光産業技術振興協会
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石田 晶
財団法人光産業技術振興協会
-
柴田 俊和
住友電気工業
-
井上 亨
住友電気工業
-
田和 克久
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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河原 孝彦
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
小山 健二
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
石塚 貴司
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
藤井 康祐
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
山田 隆史
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
福田 智恵
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
高橋 成治
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
川端 吉純
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
田和 克久
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
-
八木 英樹
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
-
高岸 成典
住友電気工業株式会社
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稲田 博史
住友電気工業株式会社
著作論文
- C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いた周波数間隔25GHzでのDWDM伝送
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHzおよび25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作