高岸 茂典 | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

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概要

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• 高岸 茂典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電エオプトエレクトロニクス研

• 猪口 康博

  住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所

• 山田 隆史

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 本 昭浩

  住友電工(株)オプトエレクトロニクス研

• 中山 正昭

  大阪市大工

• 橋本 順一

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 伊東 雅史

  住友電気工業(株)横浜製作所

• 伊東 雅史

  住友電気工業株式会社光伝送デバイス事業部

• 西村 仁

  大阪市大工

• 西村 仁

  関西外語大

• 橋本 順一

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業(株)研究開発部門:(財)光産業技術振興協会

• 高橋 光男

  住友電工知財テクノセ

• 伊東 雅史

  住友電気工業

• 中山 正昭

  大阪市大院工

• 勝山 造

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 勝山 造

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 柄谷 公一

  大阪市大工

• 田中 聡

  住友電工 基盤研

• 石田 晶

  研究開発部門

• 勝山 造

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 田辺 達也

  住友電気工業 伊丹研

• 田中 聡

  住友電気工業 伊丹研

• 猪口 康博

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 野村 江介

  大阪市大院工

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会:住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 中山 正昭

  大阪市大院

• 勝山 造

  住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所

• 小山 健二

  住友電気工業(株) オプトエレクトニクス研究所

• 村田 道夫

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 石田 晶

  住友電気工業株式会社究開発部門

• 村田 道夫

  住友電気工業(株) オプトエレクトロニクス研究所

• 勝山 造

  住友電気工業

• 山田 隆史

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 中西 太宇人

  大阪市大工

• 本 昭浩

  住友電工 基盤研

• 田辺 達也

  住友電工 基盤研

• 高橋 光男

  オプトエレクトロニクス研

• 石田 晶

  住友電気工業

• 猪口 康博

  住友電気工業 オプトエレクトロニクス研

• 中西 太宇人

  日大文理

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 橋本 淳

  大阪市大工

• 辻 幸洋

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 橋本 淳

  阪市大院工

• 小山 健二

  財団法人光産業技術振興協会

• 橋本 順一

  財団法人光産業技術振興協会

• 勝山 造

  財団法人光産業技術振興協会

• 猪口 康博

  財団法人光産業技術振興協会

• 山田 隆史

  財団法人光産業技術振興協会

• 石田 晶

  財団法人光産業技術振興協会

• 石塚 貴司

  住友電工(株)伝送デバイス研究所

• 末光 直樹

  阪大院理

• 高橋 光男

  石田特別研

• 高岸 成典

  石田特別研

• 田中 聡

  住友電工基盤研

• 本 昭浩

  住友電工基盤研

• 田辺 達也

  住友電工基盤研

• 高岸 成典

  住友電工基盤研

• 高岸 成典

  住友電工 基盤研

• 末光 直樹

  大阪市大院工

• 辻 幸洋

  住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所

• 高岸 成典

  住友電気工業株式会社

• 西村 仁

  関西外国語大学

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著作論文

• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
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• 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
• 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
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• 27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果

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