中山 正昭 | 阪市大院工
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概要
関連著者
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中山 正昭
阪市大院工
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金 大貴
阪市大院工
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中山 正昭
大阪市大 大学院工学研究科
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金森 仁志
京都工繊大
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溝口 幸司
阪市大院工
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溝口 幸司
阪府大院理
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中山 正昭
阪市大
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川瀬 稔貴
阪市大院工
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大畠 悟郎
阪府大院理
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川瀬 稔貴
大市大院工
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宮崎 健一
阪市大院工
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市田 秀樹
阪大CASI-VBL
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若生 周治
阪市大院工
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長谷川 尊之
兵庫県立大院物質理
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石原 一
阪府大院工
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長谷川 尊之
兵庫県大院物質理
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兼松 泰男
阪大CASI-VBL
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安藤 雅信
豊田合成(株)開発部
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小島 磨
阪市大院工
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上村 俊也
豊田合成(株)開発部
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枝松 圭一
東北大通研
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小島 磨
神戸大院工
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長谷川 尊之
阪市大院工
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小坂 英男
東北大通研
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三森 康義
東北大通研
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松浦 心平
東北大通研
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田中 浩康
大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻
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枝松 圭一
東北大学通研
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岡 寿樹
Jstさきがけ:阪大光科学セ
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岡原 真也
阪市大院工
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金谷 侑佳
阪市大院工
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齋藤 伸吾
情通機構
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岡 寿樹
阪大光科学セ
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阪井 清美
情通機構関西
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志村 邦夫
阪市大院工
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中山 正昭
大阪市立大学大学院 工学研究科電子情報系専攻 応用物理学講座
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安藤 雅信
豊田合成株式会社 オプトE事業部
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上村 俊也
豊田合成株式会社 オプトE事業部
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高橋 幸司
阪市大院工
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中山 正昭
大阪市立大
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鶴田 修一
阪市大院工
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竹内 日出雄
滋賀県立大工
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東海林 篤
東北大通研
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安食 博志
阪大院工
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斉藤 伸吾
情通機構
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小坂 英男
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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三森 康義
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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阪井 清美
情報通信研究機構 関西先端研究センター
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高木 芳弘
兵庫県大院物質理
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赤羽 浩一
情報通信研究機構
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齋藤 伸吾
情報通信研究機構
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枝松 圭一
東北大工
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枝松 圭一
東北大・工
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上村 俊也
豊田合成(株)オプトE事業部
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富平 和之
阪市大院工
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市田 秀樹
阪大VBL
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水元 章裕
阪市大院工
-
下村 剛哉
阪市大院工
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三森 康義
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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若生 周治
阪大院工
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冨田 昇吾
阪市大院工
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橋本 淳
大阪市大工
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兼松 泰男
阪大VBL
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神澤 悠輔
阪市大院工
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小村 慎吾
阪市大院工
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古市 喬干
阪市大院工
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大畠 悟郎
阪市大院工
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橋本 淳
阪市大院工
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横田 裕樹
阪市大院工
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中西 太宇人
日大文理
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兼松 泰男
阪大院工
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仲井 浩一
阪市大院工
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谷口 太一
阪市大院工
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秦 雅彦
住友化学筑波研
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市田 秀樹
阪大e-square
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竹内 日出雄
滋賀県大工
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山田 永
住友化学筑波研
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竹内 日出雄
阪市大院工
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渡辺 太一
阪市大院工
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柳沢 淳一
滋賀県立大工
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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中山 正昭
大阪市大工
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高木 芳弘
兵庫県立大院理
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山本 直克
情報通信研究機構
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大谷 直毅
同志社大
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西岡 崇
阪市大院工
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東海林 篤
情通機構関西
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東海林 篤
情報通信研究機構関西
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阪井 清美
情報通信研究機構関西
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高木 芳弘
兵庫県立大院物質理
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阪井 清美
情通機構未来
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山下 智也
阪市大院工
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安食 博志
阪大光科学セ
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坂口 薫
阪市大院工
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田中 浩康
阪市大院工
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北野 亮
阪市大院工
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鶴田 修一
大阪市大工
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日野 貴
阪市大工
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亀田 正信
阪市大院工
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安食 博志
JSTさきがけ
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川端 哲矢
阪市大院工
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柳沢 淳一
滋賀県立大学工学部
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宮本 雅史
阪市大院工
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秦 雅彦
住友化学
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山田 永
住友化学
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浅井 聡太
阪市大院工
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三島 伴幸
阪市大院工
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川上 将輝
阪市大院工
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日野 貴
阪市大院工
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大谷 直毅
情報通信研究機構
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岡本 諭士
阪市大院工
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大畠 悟朗
阪府大院理
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岡 寿樹
阪大院工
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西田 大輔
京大理
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中島 信一
産技総研
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齋藤 伸吾
情通機構関西
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赤羽 浩一
情通機構
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奥川 陽介
阪府大院工
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猪口 康博
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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山本 直克
情通機構
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立花 一郎
阪市大院工
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田中 勇
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大谷 直毅
通信総合研究所
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斎藤 伸吾
情通機構関西
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高岸 茂典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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徳丸 準
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横辻 悠太
阪市大院工
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伊藤 修一
阪市大院工
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悦田 祥平
阪市大院工
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山田 隆史
住友電工伝送デバイス研
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Kurz H.
アーヘン工科大
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山本 直克
通信総合研究所 基礎先端部門
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柳沼 隆太
阪市大院工
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石塚 貴司
住友電工半導体技術研
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高岸 成典
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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齋藤 伸吾
情通機構未来
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東海林 篤
情通機構未来
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山本 直克
情通信機構
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赤羽 浩一
情通信機構
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平尾 岳義
大阪市大院工
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中山 正昭
大阪市大院工
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平尾 岳義
阪市大院工
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前田 悠太
阪市大院工
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石塚 貴司
住友電気工業(株)半導体技術研究所
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中井 真仁
豊田合成(株)開発部
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北野 亮
大阪市大院工
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馬場 基彰
阪大院基礎工
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Bartels A.
アーヘン工科大
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Dekorsy T.
アーヘン工科大
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岡崎 加奈子
阪市大院工
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桑原 徹也
阪市大院工
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高岸 成典
住友電工(株)伝送デバイス研究所
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赤羽 浩一
通信総合研究所
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猪口 康博
住友電工(株)伝送デバイス研究所
-
西田 大輔
阪市大院工
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神尾 信弘
阪市大院工
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岡 寿樹
阪大光科学セ:JSTさきがけ
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川崎 博之
阪市大院工
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兼松 泰男
阪大e-square:阪大院工
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古川 喜彬
阪市大院工
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兼松 泰男
阪大院工:阪大e-square
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藤田 真也
阪市大院工
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上柿 真也
阪市大院工
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中森 一平
阪市大院工
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内山 将一
東北大通研
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中山 正昭
大阪市大院
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高岸 成典
住友電エオプトエレクトロニクス研
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市田 秀樹
阪市大院工
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岸本 良
兵庫県大院物質理
-
金 大貴
阪府大院理
著作論文
- 20aHQ-8 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波発生の層厚依存性(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 22pPSB-14 CuCI微小共振器の四光波混合II(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 21aHL-9 ZnOマイクロキャビティにおけるキャビティポラリトンの活性層厚依存性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 21aHW-7 GaAs/AlAs多重量子井戸構造におけるサブバンド共鳴による発光のアップコンバージョン(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aPS-20 CuCl微小共振器の四光波混合(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28pPSA-19 GaAs/AlAs多重量子井戸中におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波のコヒーレント制御(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-70 室温におけるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波の強度(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aXB-9 ZnOマイクロキャビティにおけるキャビティポラリトン分散の温度依存性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28aXB-8 HfO_2/SiO_2 DBR型CuClマイクロキャビティにおけるラビ分裂の制御(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 28pPSA-10 HfO_2/SiO_2多層膜をDBRとしたCuClマイクロキャビティの作製II(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23aYH-6 CuCl微小共振器におけるRabi分裂の活性層厚依存性(23aYH 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aYH-5 HfO_2/SiO_2多層膜をDBRとしたCuClマイクロキャビティの作製(23aYH 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 22aPS-24 DBR型ZnOバルクマイクロキャビティの作製と光学特性II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aXP-8 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(超高速現象,領域5(光物性))
- 25aXP-5 銅ハライド薄膜におけるコヒーレントLOフォノン生成の励起エネルギー依存性(超高速現象,領域5(光物性))
- 13pPSA-39 ダブルパルス励起による GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるコヒーレント LO フォノンと励起子量子ビートの結合モード(領域 5)
- 12pXC-9 真空蒸着 CuI 薄膜における励起子共鳴励起によるコヒーレント LO フォノンの増強(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 25aXB-2 CdSナノ粒子間のエネルギー移動の温度依存性(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 30aVD-2 コロイド法により作製したCdS超微粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクスIII(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 21aYH-1 コロイド法により作製したCdSナノ粒子の励起子発光ダイナミクス(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23aYJ-2 コロイド法により作製したCdS超微粒子間におけるエネルギー移動の発光ダイナミクスII(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pYJ-17 GaN薄膜における高密度励起条件での発光ダイナミクス(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-46 ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ状態特有のフォノンサイドバンドの過渡吸収特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aTQ-2 Pb_2ナノ薄膜における励起子重心運動量子化の膜厚依存性 : 励起子分散関係の決定(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
- 21aTQ-3 DBR型CuClマイクロキャビティにおける巨大ラビ分裂(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
- 23pPSB-12 ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ状態特有のフォノンサイドバンド発光のダイナミクス(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 20aYK-6 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態特有の重い正孔 : 軽い正孔励起子量子ビート(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-11 GaAs/AlAs超格子に埋め込まれた単一量子井戸における量子ビートに対する電場効果(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-11 GaAs/AlAs超格子における弱局在条件でのブロッホ振動(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pPSA-94 電場印加によるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19aZB-1 スパッタリング法により作製したZnOマイクロピラミッドの光学特性(微粒子・ナノ結晶,表面・薄膜,領域5,光物性)
- 18pZB-8 ZnO薄膜における高密度励起条件での時間分解発光と過渡吸収特性(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
- 19aZA-12 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド状態励起子量子ビートからブロッホ振動への移行過程(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 19pPSB-26 室温におけるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-25 GaAs/AlAs多重量子井戸構造における電場下での励起子量子ビートとコヒーレント縦光学フォノンの結合(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 20pZC-2 SiO_2/CuCl薄膜における励起子分子共鳴ハイパーパラメトリック散乱の観測(非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・局在中心・新分光法,領域5,光物性)
- 19pPSB-21 光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル(III) : 温度依存性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24aXL-5 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド状態励起子量子ビート(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTG-13 GaAsに格子整合したInGaAsN/GaAs量子井戸構造のタイプ-IIポテンシャル構造の検証(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-12 電場変調反射分光法によるInGaN/AlGaN量子井戸構造における内部分極電場の評価(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aWB-6 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の電場依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 30aRF-9 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンから放射されたテラヘルツ電磁波の特性(II)(領域5,領域1合同招待講演,30aRF 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
- 21aYD-8 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノから放射されたテラヘルツ電磁波の特性(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 26aXD-12 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド励起子発光のダイナミクス(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-6 GaAs/AlAs超格子におけるFranz-Keldysh振動に基づくミニバンド有効質量の解析(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXC-1 半導体超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態間共鳴結合条件での光電流双安定性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aYC-5 単一量子井戸層を持つGaAs/AlAs超格子におけるミニバンドと量子井戸サブバンドとの相互作用(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-3 GaAs/AlAs超格子における第1と第2ミニバンドのワニエ・シュタルク局在状態形成(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 28pVA-1 希薄窒化物混晶GaAsN薄膜における励起子-励起子散乱発光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 25aWQ-6 GaAs/AlAs超格子におけるワニエ・シュタルク局在過程でのフランツ・ケルディッシュ振動(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aRG-3 ZnOマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 25pPSB-10 HfO_2/SiO_2 DBR型CuIマイクロキャビティの光学特性(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25pPSB-30 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分割Fourier変換解析(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- 28aPS-20 MOVPE成長GaN薄膜における励起子-励起子散乱と励起子-電子散乱による発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-17 希薄混晶InGaNでの励起子-電子散乱過程による発光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30aPS-20 InGaN薄膜における強励起条件での発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 22pPSA-13 クロライド気相成長法による ZnO 薄膜の作製とその光学特性
- 19pPSA-48 コロイド法により作製したZnS-CdS混晶超微粒子の発光ダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25pPSB-17 四光波混合法によるCuCl微小共振器中の励起子分子の観測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23pRE-4 CdSc/ZnSナノ粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクス(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 20aYK-10 希薄混晶InGaN薄膜における励起子発光ダイナミクス(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aWB-7 CuI 薄膜における励起子-励起子散乱発光の偏光特性
- 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXQ-4 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンと励起子量子ビートの結合モード(超高速現象)(領域5)
- 21aTA-3 GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレント LO フォノンの結合 III
- 30pPSA-37 逆ミセル法により作製した CdS 及び CdMnS 超微粒子の発光特性に及ぼす表面改質効果 II
- 14pYC-3 GaAs/ALAS 多重量子井戸構造における電場下でのサブバンド間エネルギーチューニングによるコヒーレント LO フォノンの増強 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 28pYF-4 GaAs/AlAs多重量子井戸構造における電場下でのサブバンド間エネルギーチューニングによるコヒーレントLOフォノンの増強(量子井戸・超格子)(領域4)
- 29aYE-8 GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレント LO フォノンの結合 II
- 24aRA-2 Single source precursor法によるCdSe超微粒子の作製と光学特性(24aRA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24aPS-53 CuI薄膜におけるコヒーレントTOフォノンの生成(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pWB-9 光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル(II) : 励起エネルギー依存性(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 25pWB-8 光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル(I) : 励起強度依存性(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 28aPS-19 CuI薄膜における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスの励起エネルギー依存性(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aXB-3 Cul薄膜における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスの温度依存性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 30aPS-59 メソポーラスシリカを利用したCdS超微粒子の作製とその光学特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
- CuClマイクロキャビティにおける励起子ポラリトンの制御
- 28aPS-21 rfマグネトロンスパッタリング法により作製したZnOホモエピタキシャル薄膜の励起子光学応答(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-16 クロライド気相成長法により作製したZnO薄膜の発光特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-81 タイプ-II 量子井戸励起子遷移に対する高次サブバンド状態効果 (III)(領域 5)
- 28pPSB-5 タイプ-II量子井戸励起子遷移に対する高次サブバンド状態効果II(領域4ポスターセッション)(領域4)
- 22pPSA-67 タイプ-II 量子井戸励起子遷移に対する高次サブバンド状態効果
- 28aHC-3 i-GaAs/n-GaAs構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 26aHA-8 CuIマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 25pPSA-8 ZnOマイクロキャビティにおけるキャビティポラリトンに対する2s励起子状態の寄与(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pPSA-50 CdSナノ粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクス(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aHA-10 CuCl微小共振器中における励起子分子-光子結合状態(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 25pHD-6 GaAs/AlGaAs超格子におけるミニバンド状態での特異的な励起子量子ビート(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-25 真空蒸着PbI_2薄膜における励起子重心運動閉じ込め(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-58 コロイド法により作製したCdS超微粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクスII(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-81スパッタリング法により作製したZnO薄膜における高密度励起条件下での発光特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-36 CuI 薄膜における励起子-励起子散乱発光のダイナミクス(領域 5)
- 27pXS-7 スパッタリング法によるZnO薄膜作製における成長温度と低温バッファー層の効果(低次元物質)(領域5)
- 23pRB-3 CuCl微小共振器中における励起子分子-光子結合状態II(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 22aTM-2 GaAs/AlGaAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビート(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTM-1 GaAs/AlAs超格子におけるワニエ・シュタルク局在過程でのフランツ・ケルディッシュ振動II(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSB-15 ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ発光から励起子・励起子散乱発光への動的変遷過程(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pRB-9 (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pRB-6 GaSb/GaAsエピタキシャル構造における遮光されたGaAs緩衝層のコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生(21pRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 23pRB-2 CuBrマイクロキャビティの作製とその光学特性(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 23aTN-1 コロイド法により作製した半導体ナノ粒子間のエネルギー移動とその温度依存性(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21aXF-2 コロイド法により作製したCdS超微粒子間におけるエネルギー移動の発光ダイナミクス(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
- 13pPSA-59 コロイド法により作製した ZnS-CdS 混晶超微粒子の粒径分布及び表面構造の制御(領域 5)
- 28aXS-1 粒径分布及び表面構造が制御されたCdS超微粒子の励起子発光ダイナミクス(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 25aPS-26 DCM色素をドープしたTPD有機薄膜におけるエネルギー移動ダイナミクス(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pRE-1 有機半導体ホスト中におけるDCM色素発光の濃度消光過程(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 20aXB-2 色素をドープしたAlq_3有機薄膜におけるエネルギー移動ダイナミクス(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 24pPSA-39 コロイド法により作製したZnSeナノ粒子の光学特性(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26pCJ-7 GaAs/AlAs超格子における重い正孔励起子共鳴励起条件でのミニブリルアンゾーン端励起子の発光ダイナミクス(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCJ-9 GaAs/AlGaAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビートII(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pPSA-51 時間分解2光子偏光分光法によるCuCl薄膜及び微小共振器中励起子分子寿命の評価(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aAC-6 CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトン発光特性(25aAC 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 18pHB-5 CuCl微小共振器中励起子分子のエネルギー緩和(18pHB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 18pHB-8 CuBrマイクロキャビティにおけるポラリトンレーザー発振(18pHB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 18aFB-5 GaAs/AlAsタイプII超格子におけるΓ-X共鳴条件での発光ダイナミクス(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pFJ-6 コロイド法により作製したCdTeナノ粒子の光学特性(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 20pFJ-5 半導体-金属ナノ粒子層状構造の作製とその光学特性(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 18aFB-2 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aPSB-3 CuBrマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 29aEH-5 (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからの高強度THz電磁波発生II(29aEH 超高速現象(コヒーレントフォノン・テラヘルツ),領域5(光物性))
- 26aXQ-8 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答II(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pEJ-13 ZnO薄膜における励起子-励起子散乱発光の時間分解発光特性(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
- 27pEJ-3 半導体一金属ナノ粒子層状構造の作製とその光学特性II(27pEJ 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 7pPSA-35 鉛フタロシアニン配向薄膜におけるコヒーレントフォノンの励起エネルギー依存性(領域5)
- 27pDB-8 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの非平衡輸送と超高速光応答(超高速現象,領域5(光物性))
- 27aDB-11 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強機構(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
- 8pSF-4 真空蒸着法により作製したPbI_2薄膜におけるホットエキシトン発光(新物質・励起子・ポラリトン・緩和励起子,領域5)
- 26pPSA-33 水熱合成法によるCdTe及びCdTe/CdSナノ粒子の作製と光学特性(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
- 26pPSA-27 偏光変調反射分光法を用いた共振器ポラリトン状態の精密分光(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
- 26aDB-2 Layer-by-layer法により作製したCdTeナノ粒子層状構造の光学特性(微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 26pPSA-21 CuCl薄膜における励起子分子の位相緩和時間の膜厚依存性(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))
- 9aSG-2 逆ミセル法により作製したCdS及びCdMnS超微粒子の発光特性に及ぼす表面改質効果(微粒子・ナノ結晶,領域5)
- 27aYE-4 長周期超格子中の折り返し音響フォノンの伝播ダイナミクス(27aYE 超高速現象,領域5(光物性分野))
- 24pWE-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子-励起子分子のボース統計性の制御(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 26pPSA-39 コロイド法により作製したPbS超微粒子の光学特性II(26pPSA,領域5(光物性分野))
- 8aSJ-5 GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレントLOフオノンの結合(光誘起相転移,領域5)
- 27aCD-14 ZnO薄膜における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスの膜厚依存性(27aCD 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 29pPSA-22 Layer-by-layer法により作製したCdTeナノ粒子層状構造の光学特性II(29pPSA 領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))